Вчені з Фуданського Університету встановили новий світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, створивши флеш-пам’ять, яка може зберігати дані дуже швидко – один біт за 400 пікосекунд. Цей новий пристрій, названий PoX, є енергонезалежним і набагато швидшим за сучасні технології пам’яті, такі як SRAM і DRAM. Для порівняння, одна пікосекунда – це дуже маленький проміжок часу, тому новий пристрій може записувати дані в 2,5 рази швидше за найшвидші аналоги. В учені використовували алгоритми штучного інтелекту для оптимізації тестування та розвитку технології. Зараз вони працюють над перетворенням цього пристрою на комерційний продукт. Результати дослідження були опубліковані у журналі Nature.